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AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
73
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
32
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3064
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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