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AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2199
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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