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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3538
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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