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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3061
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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