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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
27
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
20
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
4235
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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