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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.2
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
14.7
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
19.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
4235
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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