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AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
20
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
20
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3473
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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