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AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
20
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
20
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
3473
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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