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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
24
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
24
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2462
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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