G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Puntuación global
star star star star star
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.8 left arrow 14.5
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 36
    En -20% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.8 left arrow 14.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2481 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones