RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
87
En -200% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3614
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link