RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
15.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3614
2641
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link