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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
47
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
1413
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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