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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
47
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
39
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
1413
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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