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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
47
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
39
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
1413
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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