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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
19.4
16.8
写入速度,GB/s
15.8
12.1
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3614
2641
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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