RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2374
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link