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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
41
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
41
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2154
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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