RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
Corsair CM2X1024-6400C5DHX 1GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link