RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
7.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link