RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3592
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link