RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3592
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link