RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3592
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link