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AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
60
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
60
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
1400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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