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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
26
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
3507
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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