RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
1864
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link