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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
33
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
33
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3671
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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