RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
2931
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link