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AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
19
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
18
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3536
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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