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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
2925
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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