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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
1993
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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