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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
43
读取速度,GB/s
14.2
12.5
写入速度,GB/s
10.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1993
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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