RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2634
3594
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link