RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2634
3594
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link