RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Compara
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Puntuación global
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
3933
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology ITC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link