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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Inmos + 256MB

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 56
    En -87% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 2,291.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 6400
    En 2.63 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,983.0 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,291.6 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1010 left arrow 2318

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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Memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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