Comparación de la memoria RAM Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Puntuación global

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 33

En 15% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 13.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.0 9.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2278 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns