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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
13.5
16.1
写入速度,GB/s
9.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2987
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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