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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
122
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
1,923.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
122
Velocidad de lectura, GB/s
4,207.9
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,923.1
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
597
1411
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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