RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
122
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,923.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
122
Скорость чтения, Гб/сек
4,207.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,923.1
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
597
1411
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link