RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Compara
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Puntuación global
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3041
1806
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link