RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
3306
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link