RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
3306
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link