RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
4124
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link