RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
4124
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link