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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
3260
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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