RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3260
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link