RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2124
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link