RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
47
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
10.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2124
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link