RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
68
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,636.8
2,120.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
49
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,879.6
4,540.8
Скорость записи, Гб/сек
2,120.4
2,636.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link