Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    49 left arrow 68
    Около 28% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,636.8 left arrow 2,120.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 68
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,879.6 left arrow 4,540.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,120.4 left arrow 2,636.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    840 left arrow 827
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения